5．通过激光剥离LLO（laser lift-off）获得独支撑GaN衬底和材料，这样可以把位错密度降低两个数量级单位，同质
延获得高质量
GaN。
Homoepitaxy can obtain high quality GaN.
延5．通过激光剥离LLO（laser lift-off）获得独支撑GaN衬底和材料，这样可以把位错密度降低两个数量级单位，同质延获得高质量GaN。
Homoepitaxy can obtain high quality GaN.
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