Besides, by using the active biasing circuit (linearizer) for the gate of the FET, the 1dB compression point (CP1dB) can be extended.
除此之外，通过对第二级FET的门级偏
使用主动式的偏电路（线性处理
），电路的1dB压缩点（CP1dB）得到了很
的提高。
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金属氧化物半导体;
;Besides, by using the active biasing circuit (linearizer) for the gate of the FET, the 1dB compression point (CP1dB) can be extended.
除此之外，通过对第二级FET的门级偏使用主动式的偏电路（线性处理），电路的1dB压缩点（CP1dB）得到了很的提高。
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